Kategori Produk
Hubungi kami

Haohai Logam Meterials Co, Ltd

Haohai Titanium Co, Ltd


Alamat:

Plant No.19, TusPark, Century Avenue,

Kota Xianyang, Shaanxi Pro., 712000, Cina


Tel:

+86 29 3358 2330

+86 29 3358 2349


Fax:

+86 29 3315 9049


E-mail:

Info@pvdtarget.com

Sales@pvdtarget.com



Layanan hotline
029 3358 2330

Proses teknologi

Rumah > Tentang kita > Proses teknologi


Proses teknologi


Kemampuan manufaktur kuat bersama dengan skala penuh RandD dan tes laboratorium memberikan kita kemampuan untuk sepenuhnya mengendalikan seluruh proses dari bahan baku yang mempersiapkan, produksi, inspeksi, pengepakan dan pengiriman.


Haohai Metal manufaktur planar sputtering target dan rotary sputtering target dengan proses utama sebagai berikut:


-Vacuum leleh untuk target sputtering planar

Planar Target Flow.jpg

Bahan-bahan khas untuk proses ini target Planar meliputi:

Unsur-unsur yang murni:

-Titanium Sputtering target - Zirkonium Sputtering - Niobium tergagap-gagap target - target Tantalum tergagap-gagap target - Kromium tergagap-gagap target - Vanadium tergagap-gagap target - aluminium tergagap-gagap target - Halfnium tergagap-gagap target - nikel Sputteri Target - tembaga-tergagap gagap target - Indium tergagap-gagap Target dll.


Paduan:

Nikel Vanadium (NiV) tergagap-gagap target - nikel Kromium (NiCr) tergagap-gagap target dll.


-Vacuum leleh untuk target sputtering rotary

Rotary Target Flow.jpg

Bahan-bahan khas untuk proses ini target Rotary meliputi:

Unsur-unsur yang murni:

-Nikel titanium Sputtering target - Zirkonium Sputtering - Niobium tergagap-gagap target - target Tantalum tergagap-gagap target - Vanadium tergagap-gagap target - aluminium tergagap-gagap target - Halfnium tergagap-gagap target - target Sputteri - tembaga tergagap-gagap Target dll.


-HIP untuk target sputtering planar

Powder Plannar Target Flow.jpg

Bahan-bahan khas untuk proses ini target Planar meliputi:

Unsur-unsur yang murni:

-Silicon tergagap-gagap target - molibdenum tergagap-gagap target - Kromium-tergagap gagap target - Tungsten-tergagap gagap target - Niobium tergagap-gagap target - Tantalum tergagap-gagap target dll.


Paduan:

Nikel Kromium (NiCr) Sputteri target - target Sputtering Titanium aluminium (TiAl) - aluminium Kromium (AlCr) tergagap-gagap target dll.


Ceremics:

NbOx tergagap-gagap target - TiOx tergagap-gagap target - SiOx tergagap-gagap target


-Penyemprotan untuk rotary tergagap-gagap target

Powder Rotary Target Flow.jpg

Bahan-bahan khas untuk proses ini target Planar meliputi:

Unsur-unsur yang murni:

-Silikon Sputtering target - molibdenum tergagap-gagap target - Kromium tergagap-gagap target - Tungsten tergagap-gagap target - ect.


Paduan:

Nikel Kromium (NiCr) Sputteri target - target Sputtering Titanium aluminium (TiAl) tergagap-gagap target - aluminium Kromium (AlCr)-tergagap gagap target - Silicon aluminium (SiAl) dll.


Ceremics:

NbOx tergagap-gagap target - TiOx tergagap-gagap target - SiOx tergagap-gagap target