Kategori Produk
Hubungi kami

Haohai Logam Meterials Co, Ltd

Haohai Titanium Co, Ltd


Alamat:

Plant No.19, TusPark, Century Avenue,

Kota Xianyang, Shaanxi Pro., 712000, Cina


Tel:

+86 29 3358 2330

+86 29 3358 2349


Fax:

+86 29 3315 9049


E-mail:

Info@pvdtarget.com

Sales@pvdtarget.com



Layanan hotline
029 3358 2330

Berita

Rumah > BeritaKonten

Cara Mengatasi Tingkat Pemanfaatan Rendah Target Sputtering Magnetron

Cara mengatasi rendahnya tingkat utilisasi target magnetron sputtering

Rotating target banyak digunakan di sel surya, kaca arsitektural, kaca otomotif, semikonduktor, TV panel datar dan industri lainnya.

Target rotasi silinder memiliki kekuatan medan magnet yang tinggi, efisiensi sputtering yang tinggi dari target, laju deposisi film yang tinggi, target sputtering dan lapisan film yang seragam dapat disimpan pada substrat planar area yang luas pada kedua sisi target. Pada saat bersamaan melalui mekanisme rotasi untuk meningkatkan pemanfaatan target. Pendinginan target cukup, permukaan target bisa menahan sputtering daya yang lebih tinggi. Menggabungkannya dengan teknologi sputtering magnet target target dua frekuensi menengah secara signifikan dapat meningkatkan efisiensi produksi sambil mengurangi biaya produksi.

Magnetron sputtering memiliki banyak kelebihan, namun juga adanya laju deposisi yang rendah dan etsa permukaan target tidak merata, rendahnya utilisasi cacat target. Seperti target utilisasi target datar umumnya hanya sekitar 20% sampai 30%, target sputtering yang menghasilkan efisiensi sputtering relatif rendah. Untuk beberapa logam mulia seperti emas, perak, platinum, dan beberapa target paduan dengan kemurnian tinggi, seperti pembuatan film ITO, film elektromagnetik, film superkonduktor, film dielektrik dan lapisan target logam mulia lainnya, bagaimana mengatasi magnetron sputtering. Pemanfaatan target rendah, deposisi film tipis tidak seragam dan kekurangan lainnya sangat penting.

Rectangular planar magnetron sputtering target target etsa heterogenitas terutama tercermin dalam dua aspek, di satu sisi adalah lebar lebar target etsa yang tidak rata, disisi lain, sputtering menargetkan desain tradisional dari sputtering plane sputtering target sputtering groove. Track ditutup dan fenomena etch anomali cenderung terjadi pada posisi diagonal pada target akhir, dan etsa pada sendi antara ujung target dan lurus tidak normal dan etsa di area tengah dangkal dan etsa Bagian yang parah. Selalu diagonal, sehingga fenomena ini juga dikenal sebagai efek akhir atau efek diagonal. Efek end-etch dari target sangat mengurangi keseragaman kedalaman saluran etch, dan target putaran silinder dapat memecahkan masalah ini dengan sangat baik dan dengan demikian memiliki tingkat pemanfaatan yang lebih tinggi.